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IRF7726詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2204pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro8?; 包裝：管件

IRF7726TR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2204pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro8?; 包裝：Digi-Reel®

IRF7726TR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2204pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro8?; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7726TR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2204pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro8?; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7726TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2204pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro8?; 包裝：Digi-Reel®

IRF7726TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2204pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro8?; 包裝：剪切帶 (CT)

L-14CR15JV4T
固定式 Johanson Technology Inc 0603（1608 公制） CER INDUCTOR 150NH 0603
ECS-80-S-5P-TR
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 8.000MHZ SERIES SMD
IRF7707TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
LMK063BJ224MP-F
陶瓷 Taiyo Yuden 0201（0603 公制） CAP CER 0.22UF 10V 20% X5R 0201
LP2989AIMM-3.0
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments * IC REG LDO 3V .5A 8MSOP
JD-90-2-6MM
旋鈕 Kilo International 自動鏈路 KNOB BLK GLOSS.925"DIA 6MM SHAFT
LB16SKW01-5C24-JC
按鈕 NKK Switches SWITCH PUSHBUTTON SPDT 3A 125V
IVS8H-5Q0-5Q0-40-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
L14G2
光學(xué) - 光電檢測器 - 光電晶體管 Fairchild Optoelectronics Group TO-206AA，TO-18-3 金屬罐 DETECTOR/TRANSISTOR PHOTO TO-18
LMK063BJ472MP-F
陶瓷 Taiyo Yuden 0201（0603 公制） CAP CER 4700PF 10V 20% X5R 0201
LP2989AIMM-5.0
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments * IC REG LDO 5V .5A 8MSOP
IVS8H-5R0-5R0-5R0-80-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
JD-90-4-6MM
旋鈕 Kilo International 自動鏈路 KNOB BLK MATTE.925"DIA 6MM SHAFT
LB16WKG01-6G-JB
按鈕 NKK Switches SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V
L14G3
光學(xué) - 光電檢測器 - 光電晶體管 Fairchild Optoelectronics Group TO-206AA，TO-18-3 金屬罐 DETECTOR/TRANSISTOR PHOTO TO-18

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