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IRF840L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRF840LC詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF840LCL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRF840LCLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRF840LCPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF840LCS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

KPSE02E16-26S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS BOX MNT W/SKTS
K471K10X7RH53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 100V X7R RADIAL
IRF8327STRPBF
其它 International Rectifier MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
KPT06E18-32SW
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 32POS CABLE W/SKT
LM4051BEM3-ADJ/NOPB
PMIC - 電壓基準(zhǔn) Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3
IXBOD1-14R
TVS - 其它復(fù)合 IXYS 徑向 IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1400V
IRF7329TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
ECJ-3YB1E475M
陶瓷 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） CAP CER 4.7UF 25V 20% X5R 1206
KPSE02E16-26SA206
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS BOX MNT W/SKTS
KPT06E18-32SY
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 32POS CABLE W/SKT
LM4051BIM3-1.2
PMIC - 電壓基準(zhǔn) Texas Instruments IC VREF SHUNT PREC 1.225V SOT23
IXBOD1-14RD
TVS - 其它復(fù)合 IXYS 徑向 IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1400V
ECJ-3YB1E564K
陶瓷 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） CAP CER 0.56UF 25V 10% X7R 1206
IRF7338TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC
K471K10X7RH5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 100V 10% RADIAL