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IRF9530NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF9530NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF9530NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF9530NSTRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF9530NSTRRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF9530NSTRR
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
L0402R82BHLTR
固定式 AVX Corporation 0402（1005 公制） INDUCTOR THIN FILM .82NH 0402
ECW-F6204RHL
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.2UF 630VDC RADIAL
L3PL1WH
標(biāo)簽，標(biāo)記 Panduit Corp LABEL LS3E WHT 1.5X1.5" 250/ROLL
ECS-35-18-5PVX
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 3.579545 MHZ 18PF SMD
LMC7101QM5/NOPB
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC OPAMP RRIO TINY LP SOT23-5
KT11P2SA2M33
觸摸 C&K Components TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC） SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 50V
ECW-F6204RHL
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.2UF 630VDC RADIAL
L-05B12NJV6T
固定式 Johanson Technology Inc 0201（0603 公制） IND CER RF 12NH 0201
ECS-35-18-5PXDU-TR
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 3.579545 MHZ 18PF SMD
K271J15C0GH53L2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 270PF 100V 5% RADIAL
LMC7111BIM5/NOPB
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC OP AMP R-R I/O CMOS SOT23-5
KT11P3SA1M33
觸摸 C&K Components TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC） SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 50V
L4004D5TP
三端雙向可控硅開關(guān) Littelfuse Inc TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 TRIAC SENS 400V 4A TO-252
L-05B18NJV6T
固定式 Johanson Technology Inc 0201（0603 公制） IND CER RF 18NH 0201

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