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IRFH8334TRPBF 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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IRFH8334TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 44A 5X6 PQFN
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 20A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1180pF @ 10V
功率_最大：3.2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PQFN（5x6）
包裝：Digi-Reel®

IRFH8334TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 44A 5X6 PQFN
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 20A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1180pF @ 10V
功率_最大：3.2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PQFN（5x6）
包裝：帶卷 (TR)

IRFH8334TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 44A 5X6 PQFN
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 20A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1180pF @ 10V
功率_最大：3.2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PQFN（5x6）
包裝：剪切帶 (CT)

IRFH8334TRPBF供應(yīng)商

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