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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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IRFIBC30G 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
按地區(qū)：全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

IRFIBC30G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP
系列：-
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：600V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 歐姆 @ 1.5A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 25V
功率_最大：35W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3 全封裝，隔離接片
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220-3
包裝：管件

IRFIBC30GPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP
系列：-
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：600V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 歐姆 @ 1.5A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 25V
功率_最大：35W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3 全封裝，隔離接片
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220-3
包裝：管件

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