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IRFR014TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR014TRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR014TRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR014TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR014TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFR014TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

ECS-2018-270-BN
振蕩器 ECS Inc 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 27.000 MHZ 1.8V SMD
K35-3
配件 Omron Electronics Inc-IA Div EVENT INPUT BOARD 5PTS PNP K3HB
JLLS200.X
保險絲 - 電氣，特制 Littelfuse Inc 圓柱形，扁平端子（螺栓） FUSE F/A CLASS T 200A 600V
LMH6601MGX/NOPB
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC AMP VFA 2.4V SHUTDOWN SC70-6
K32-DICN
配件 Omron Electronics Inc-IA Div CABLE SPECIAL EVENT INPUT
LC-F-3-C-N4
控制器 - 液位 Curtis Industries DO-201AA，DO-27，軸向 NEMA 4 JIC FW LEVEL CONTROL 24V
K470J15C0GL5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 47PF 500V 5% RADIAL
ECS-2018-500-BN
振蕩器 ECS Inc 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 50.000 MHZ 1.8V SMD
JLLS500.X
保險絲 - 電氣，特制 Littelfuse Inc 圓柱形，扁平端子（螺栓） FUSE F/A CLASS T 500A 600V
LMH6601QMG/NOPB
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC AMP VFA 2.4V SHUTDOWN SC70-6
K32-DICN
配件 Omron Electronics Inc-IA Div CABLE SPECIAL EVENT INPUT
K470K10C0GF53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 47PF 50V 10% RADIAL
LCGGX1A10EC
快動，限位，拉桿 C&K Components SWITCH SNAP SPDT 1A LEVER SOLDER
K35-4
配件 Omron Electronics Inc-IA Div EVENT INPUT BOARD 8PTS PNP K3HB
JM-1
配件 Honeywell Sensing and Control 圓柱形，扁平端子（螺栓） LEVER SPRNG LEAF FOR LIMT SWITCH

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