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IRFR3910CPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 16A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：16A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：115 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR3910PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 16A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：16A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：115 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR3910TRL詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 16A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：16A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：115 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3910TRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 16A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：16A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：115 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3910TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 16A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：16A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：115 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFR3910TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 16A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：16A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：115 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

ISL58111CRZ-EVAL
評估演示板和套件 Intersil 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） EVALUATION BOARD FOR ISL58111CRZ
IRFR3806TRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
IS-L0271-C
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E39-G4
配件 Omron Electronics Inc-IA Div COVER FOR E3X
HCT-HE-11
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ISL6594BCRZ
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN
IRG4BC20F
IGBT - 單路 International Rectifier TO-220-3 IGBT FAST 600V 16A TO-220AB
ISL58129CRZ-EVAL
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E3ML-ZHM8
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E39-G4
配件 Omron Electronics Inc-IA Div COVER FOR E3X
HCT-HE-21
配件 OKI/Metcal 6-SMD，無引線 HEATING ELEMENT REPLCMT FOR 230V
ISL6596CBZ-T
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
IRG4BC20F-S
IGBT - 單路 International Rectifier TO-220-3 IGBT FAST 600V 16A TO-220-3
ISL5829/2INZ
RF 其它 IC 和模塊 Intersil 48-LQFP IC DAC 12BIT CMOS DUAL 48LQFP
E3ML-ZHM8
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊，預(yù)接線 LENS 8MM

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