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IRFR9N20DTRL 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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IRFR9N20DTRL詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.4A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫歐 @ 5.6A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 25V
功率_最大：86W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak
包裝：帶卷 (TR)

IRFR9N20DTRLPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.4A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫歐 @ 5.6A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 25V
功率_最大：86W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak
包裝：帶卷 (TR)

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