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IRFS9N60ATRL 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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IRFS9N60ATRL詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
系列：HEXFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：600V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.2A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：750 毫歐 @ 5.5A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 25V
功率_最大：170W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK
包裝：帶卷 (TR)

IRFS9N60ATRLPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
系列：-
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：600V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.2A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：750 毫歐 @ 5.5A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 25V
功率_最大：170W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK
包裝：帶卷 (TR)

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