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IRFZ44ES詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：48A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 29A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1360pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRFZ44ESPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：48A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 29A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1360pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRFZ44ESTRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：48A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 29A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1360pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRFZ44ESTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：48A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 29A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1360pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRFZ44ESTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：48A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 29A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1360pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFZ44ESTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：48A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 29A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1360pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

OSTYK60516030
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 16CIRC 10MM
P173
配件 Electroswitch 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） DIAL PLATE 1-23 DIGIT 1.87"DIA
OSTYK50506330
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 6CIRC 9.50MM
IRFZ34STRLPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
MP8-3L-1L-1E-1D-05
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
OSTVF245150
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLK HDR 24POS 5.08MM
OX122KE
通孔電阻器 Ohmite 軸向 RES CERAMIC COMP 1.2K OHM 1W
OSTYK60520230
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 20CIRC 10MM
P122FPL1.41.E1
其它 General Cable/Carol Brand 12 AWG SOLID BC SGPVC
OSTYK50515130
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 15CIRC 9.50MM
OSTVF247150
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLK HEADER 24POS 5MM
MP8-3L-1N-1N-4EE-0M
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
OX151KE
通孔電阻器 Ohmite 軸向 RES CERAMIC COMP 150 OHM 1W
OSTYK60603130
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 3CIRC 10MM
P122FPL1.46.03
其它 General Cable/Carol Brand 12 AWG SOLID BC SGPVC

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