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IRFZ48Z詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 61A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：61A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 37A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：64nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1720pF @ 25V; 功率_最大：91W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRFZ48ZL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 61A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：61A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 37A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：64nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1720pF @ 25V; 功率_最大：91W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRFZ48ZLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 61A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：61A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 37A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：64nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1720pF @ 25V; 功率_最大：91W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRFZ48ZPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 61A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：61A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 37A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：64nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1720pF @ 25V; 功率_最大：91W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRFZ48ZS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：61A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 37A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：64nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1720pF @ 25V; 功率_最大：91W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRFZ48ZSPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：61A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 37A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：64nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1720pF @ 25V; 功率_最大：91W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

OX470K
通孔電阻器 Ohmite 軸向 RES CERAMIC COMP 47 OHM 1W
IRFZ48NSTRR
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
OSTYK61113030
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 13CIRC 10MM
P1803AB60
TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc TO-220-3（SMT）標(biāo)片 SIDACTOR 3CHP 250V 250A TO-220
OSTYK50621130
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 21CIRC 9.50MM
MP8-3Q-1L-0M
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
OSTVH165150
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc TERM BLOCK PLUG 5.08MM 16POS
P1300EBRP2
TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC）成形引線 SIDACTOR BI 120V 250A TO-92
OX680K
通孔電阻器 Ohmite 軸向 RES CERAMIC COMP 68 OHM 1W
OSTYK50624130
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 24CIRC 9.50MM
P1803ABL
TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc TO-220-3（SMT）標(biāo)片 SIDACTOR 3CHP 250V 250A TO-220
OSTVH235152
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc TERM BLOCK PLUG 5.08MM 23POS
MP8-3Q-1L-1Q-00
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
P1300ECL
TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC） SIDACTOR BI 120V 400A TO-92
OX681KE
通孔電阻器 Ohmite 軸向 RES CERAMIC COMP 680 OHM 1W