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IRL3102詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 61A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：61A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 37A，7V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2500pF @ 15V; 功率_最大：89W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRL3102L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 61A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：61A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 37A，7V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2500pF @ 15V; 功率_最大：89W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262-3; 包裝：管件

IRL3102PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 61A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：61A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 37A，7V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2500pF @ 15V; 功率_最大：89W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRL3102S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：61A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 37A，7V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2500pF @ 15V; 功率_最大：89W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL3102SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：61A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 37A，7V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2500pF @ 15V; 功率_最大：89W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL3102STRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：61A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 37A，7V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2500pF @ 15V; 功率_最大：89W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

KPT06E14-12PX
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 12POS W/PIN CABLE
IRL3102S
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
JE-4
配件 Honeywell Sensing and Control LEVER SPRNG ROLL FOR LIMT SWITCH
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風(fēng)扇 - DC Delta Product Groups BLOWER 48VDC BALL TACH 175X54MM
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嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 783-BBGA，F(xiàn)CBGA IC MPU PWRQUICC III 783-FCCBGA
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連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 6POS W/SKT WALL
KPT06E14-12PXDN
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 12POS W/PIN CABLE
JE-4
配件 Honeywell Sensing and Control LEVER SPRNG ROLL FOR LIMT SWITCH
KHD250E106M43A0B00
陶瓷 United Chemi-Con 徑向 CAP CER 10UF 25V 20% RADIAL
KJA7T21W41SA
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 41POS JAM NUT W/SKT
IMP1-2W0-2W0-1L-1Q-1Q-00-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power SC-74，SOT-457 IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
KPT00E10-98SDN
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 6POS WALL W/SKT
KPT06E14-12S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 12POS CABLE W/SKT

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