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IRL3713SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：260A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 38A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5890pF @ 15V; 功率_最大：330W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL3713STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：260A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 38A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5890pF @ 15V; 功率_最大：330W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRL3713STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：260A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 38A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5890pF @ 15V; 功率_最大：330W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRL3713STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：260A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 38A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5890pF @ 15V; 功率_最大：330W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL3713STRRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：260A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 38A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5890pF @ 15V; 功率_最大：330W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRDC3837
評估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS International Rectifier KIT EVAL REG 14A SUPIRBUCK DC/DC
E3ZM-B61T-C 2M
光學(xué) - 反射式 - 邏輯輸出 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊，預(yù)接線 PET NPN, PREWIRED, W/REFLECTOR
HLZ30007Z25R00KJ
底座安裝電阻器 Vishay Dale 徑向，管狀 RES 25 OHM 10% 300W EDGEWOUND WW
IRL3705ZS
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
IRFIBC20GPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 全封裝，隔離接片 MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220FP
IRFR3710ZTRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
ISC1210BN10NM
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 10NH 20% 1210
ISL31496EIUZ-T
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Intersil 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC TXRX RS485 FAULT PROT 10MSOP
IRDC3838
評估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS International Rectifier KIT EVAL REG 10A SUPIRBUCK DC/DC
HM0787-100
鐵氧體圓盤和平板 Laird-Signal Integrity Products 徑向，管狀 FERRITE EMI DISC 20MM X 1.27MM
IRFIBC40GLC
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 全封裝，隔離接片 MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP
IRFR3711
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
ISC1210BN12NM
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 12NH 20% 1210
ISL31498EIBZ-T7A
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TXRX RS485 FAULT PROT 8SOIC
IRDC3840W
評估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS International Rectifier BOARD EVAL FOR IR3840W 12A CONV