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IRL3715S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：54A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 26A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 10V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL3715SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：54A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 26A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 10V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL3715STRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：54A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 26A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 10V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL3715STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：54A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 26A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 10V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL3715STRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：54A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 26A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 10V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL3715STRRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：54A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 26A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 10V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

HCM49-25.175MABJT
晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 25.175 MHZ 18PF SMD
CVCO33CL-0770-0870
振蕩器 - VCO（電壓控制振蕩器） Crystek Corporation 12-QFN，變式 OSC VCO 770-870MHZ SMD .3X.3"
IRL3713STRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
HCK101KBCDF0KR
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 100PF 3KV 10% RADIAL
IXTA2N80P
FET - 單 IXYS TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 800V 2A TO-263
FM31T378-GTR
專用 IC Ramtron 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC MEMORY
JB15FH
觸摸 NKK Switches 9-DIP 模塊 SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V
ISL6443AIVZ
PMIC - 電源管理 - 專用 Intersil 28-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC CTRLR SGL/STP DWN PWM 28TSSOP
HCM49-27.000MABJ-UT
晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 27.000 MHZ 18PF SMD
HCK102MBCDF0KR
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 1000PF 3KV 20% RADIAL
FM3W
RF配件 Laird Technologies IAS 20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） ACCY MOUNT HDWR 3INCH MAST
IXTA36N20T
FET - 單 IXYS TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 36A TO-263
JB15HAP-2C
觸摸 NKK Switches 9-DIP 模塊 SWITCH TACT SPST-NO 0.125A 24V
ISL6444CAZ
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 Intersil 28-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC CONTROLLER DDR 28-QSOP
CVCO55BE-1550-1650
振蕩器 - VCO（電壓控制振蕩器） Crystek Corporation 16-QFN，變式 OSC VCO 1550-1650MHZ SMD .5X.5"

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