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IRLHM630TRPBF 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
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IRLHM630TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 毫歐 @ 20A，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.1V @ 50µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：62nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：3170pF @ 25V
功率_最大：2.7W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：8-VQFN 裸露焊盤(pán)
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PQFN（3x3）
包裝：帶卷 (TR)

IRLHM630TRPBF供應(yīng)商

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