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IRLR120NPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 10A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：185 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：440pF @ 25V; 功率_最大：48W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRLR120NTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 10A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：185 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：440pF @ 25V; 功率_最大：48W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRLR120NTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 10A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：185 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：440pF @ 25V; 功率_最大：48W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRLR120NTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 10A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：185 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：440pF @ 25V; 功率_最大：48W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

IRLR120NTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 10A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：185 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：440pF @ 25V; 功率_最大：48W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRLR120NTRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 10A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：185 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：440pF @ 25V; 功率_最大：48W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRG4PH50KDPBF
IGBT - 單路 International Rectifier TO-247-3 IGBT W/DIODE 1200V 45A TO247AC
HM1W42APR000H6LF
背板 - 專用 FCI METRAL HDR STR PF 4X12
E4C-8
配件 Electroswitch - WAFER SWITCH SP-17POS SHORTNG 9A
IRLR120NPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
ISL9011IRKPZ-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 2.85V/1.85V 10-DFN
E39-L94
配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTING BRACKET FOR E32-T16P
ISL32602EFBZ-T
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Intersil 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC LINEAR
HMC49DRAI-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸露焊盤 CONN EDGECARD 98POS .100 R/A PCB
IRG4PSH71KD
IGBT - 單路 International Rectifier TO-274AA IGBT W/DIODE 1200V 78A SUPER-247
E4C-9
配件 Electroswitch - WAFER SW 3P-5POS SHORTING
E39-L96
配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTING BRACKET
ISL9011IRPLZ-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 1.85V/2.9V 10-DFN
ISL32602EFBZ-T7A
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Intersil 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC LINEAR
HMC49DRES
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸露焊盤 CONN EDGECARD 98POS .100 EYELET
IRG4PSH71KDPBF
IGBT - 單路 International Rectifier TO-274AA IGBT W/DIODE 1200V 78A SUPER247

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