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IRLR3410TRL詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 25V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRLR3410TRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 25V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRLR3410TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 25V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

IRLR3410TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 25V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRLR3410TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 25V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRLR3410TRR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 25V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

CY7C1613KV18-333BZXC
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM QDRII 144MB 165FBGA
IRF7324TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） HEX/MOS P-CHAN DUAL 20V 9A 8SOIC
HFBR-RTD001Z
配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST DUPLEX 1M
IRLR3410TRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
IRFU9120N
FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
FQ5032B-12
晶體 Fox Electronics 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CRYSTAL 12.0 MHZ 20PF SMD
JR25WCC-18
安全 Hirose Electric Co Ltd CONN CABLE CLAMP 18MM
CY7C1620KV18-333BZXI
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM DDRII 144MBIT 165FBGA
FWN2.00BK
螺線形繞線，伸縮套管 Techflex 241-BBGA FLEXO WRAP 2" BLACK 100’
HFBR-RTD010
配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST DUPLEX 10M
IRFU9N20D
FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
FQ5032B-14.7456
晶體 Fox Electronics 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CRYSTAL 14.7456 MHZ 20PF SMD
JR25WCCA-12(71)
圓形 - 配件 Hirose Electric Co Ltd CONN STRAIN RELIEF JR25 12MM
FWN2.00BK25
螺線形繞線，伸縮套管 Techflex 241-BBGA FLEXO WRAP 2" BLACK 25’
CY7C1643KV18-450BZI
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM QDRII 144MBIT 165FBGA

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