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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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IRLU120 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
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IRLU120NPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：185 毫歐 @ 6A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：440pF @ 25V
功率_最大：48W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-251-3 長(zhǎng)引線，IPak，TO-251AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak
包裝：管件

IRLU120PBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK
系列：-
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.7A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 4.6A，5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：490pF @ 25V
功率_最大：2.5W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-251AA
包裝：管件

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