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IRLZ24NL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 18A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 11A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRLZ24NLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 18A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 11A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRLZ24NPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 18A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 11A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 25V; 功率_最大：45W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRLZ24NS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 11A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRLZ24NSPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 11A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRLZ24NSTRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 11A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

P3203AAL60
TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc TO-220-3（SMT）標(biāo)片 SIDAC SYM 3CHP 270V 50A TO220
IRLZ14L
FET - 單 Vishay Siliconix TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 60V 10A TO-262
IS-L02H2-C
配件 NKK Switches BOARD LOGIC 2 HI RES SW SOCKETS
MP930-30.0-1%
通孔電阻器 Caddock Electronics Inc TO-220-2 RESISTOR 30.0 OHM 30W 1% TO-220
P51-1500-S-M-M12-20MA-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 1500PSIS M10 4-20 MA
P08-080PLTC-A-G
板對(duì)板 - 陣列，邊緣類型，包廂 3M CONN PLUG 80POS .8MM VERT SMD
ISL88022IU8HEZ-TK
PMIC - 監(jiān)控器 Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC VOLTAGE MON TRIPLE OV 8-MSOP
P3203UALTP
TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc 6-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） SIDAC SYM 3CHP 270V 50A MS013
MPXAZ4115AC6U
壓力 Freescale Semiconductor 8-SMD，頂部端口 PRESSURE SENS 16.7PSI MAX 8-SOP
P51-1500-S-N-M12-20MA
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 1500PSIS 1.2 UNF 4-20 MA
MPA
配件 Staco Energy Products Company TO-220-2 POWER TRANSFRMR 1CH MP CONTROLLR
P08-080PLTC-B-G
板對(duì)板 - 陣列，邊緣類型，包廂 3M CONN PLUG 80POS .8MM VERT SMD
ISL88031IU8ECZ-TK
PMIC - 監(jiān)控器 Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC VOLTAGE MONITOR QUINT 8-MSOP
P3203UBLRP
TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc 6-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） SIDAC SYM 3CHP 270V 100A MS013
MPXAZ6115A7U
壓力 Freescale Semiconductor 8-DIP（0.560"，14.22mm），頂部端口 PRESSURE SENSOR ABSOLUTE 8-DIP

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