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LGY1J222MELZ35 全國供應商、價格、PDF資料

LGY1J222MELZ35詳細規格: 類別：電容器; 描述：CAP ALUM 2200UF 63V 20% SNAP; 系列：GY; 制造商：Nichicon; 電容：2200µF; 額定電壓：63V; 容差：±20%; 壽命0a0溫度：105°C 時為 5000 小時; 工作溫度：-40°C ~ 105°C; 特點：通用; 紋波電流：1.8A; ESR（等效串聯電阻）：-; 阻抗：-; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：徑向，Can - 卡入式; 尺寸/尺寸：0.866" 直徑（22.00mm）; 高度_座高（最大）：1.457"（37.00mm）; 引線間隔：0.394"（10.00mm）; 表面貼裝占地面積：-; 包裝：散裝

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GRM31MF51C335ZA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 3.3UF 16V Y5V 1206
IMC1812BNR10M
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 100NH 20% 1812
DTS120100SUDC-P6N
AC DC 桌面、壁式變壓器 CUI Inc TRANSF 12VDC 1000MA P6 NEG C
IHSM4825PJ3R3L
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 3.3UH 4.6A SMD
DSI30-16AS-TUBE
單二極管/整流器 IXYS TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB DIODE STD 1600V 30A TO-263AA
DS1135LZ-12+T&R
時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DELAY LINE 12NS 8-SOIC
GRM31MF51E105ZA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 1UF 25V Y5V 1206
IDT70V3579S6DR
存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BFQFP IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208QFP
IMC1812BNR33J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 330NH 5% 1812
IHSM4825PJ560L
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 56UH 0.95A SMD
DSI75-08B
單二極管/整流器 IXYS DO-203AB，DO-5，接線柱 DIODE CATH 1200V 110A DO-203AB
IDT70V3589S166BC
存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 256-LBGA IC SRAM 2MBIT 166MHZ 256BGA
GRM31MF51E105ZA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 1UF 25V Y5V 1206
DS1135LZ-15/T&R
時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DELAY LINE 15NS 8-SOIC
DTS120125UDC-P12/RP
AC DC 桌面、壁式變壓器 CUI Inc TRANSF 12VDC 1250MA P12 RA POS

復制成功！

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