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MCH3421-TL-E 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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MCH3421-TL-E詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 0.8A MCPH3
系列：-
制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：800mA
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：890 毫歐 @ 400mA，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：-
閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.8nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：165pF @ 20V
功率_最大：900mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：3-SMD，扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝：3-MCPH
包裝：剪切帶 (CT)

MCH3421-TL-E詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 0.8A MCPH3
系列：-
制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：800mA
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：890 毫歐 @ 400mA，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：-
閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.8nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：165pF @ 20V
功率_最大：900mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：3-SMD，扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝：3-MCPH
包裝：帶卷 (TR)

MCH3421-TL-E詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 0.8A MCPH3
系列：-
制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：800mA
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：890 毫歐 @ 400mA，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：-
閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.8nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：165pF @ 20V
功率_最大：900mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：3-SMD，扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝：3-MCPH
包裝：Digi-Reel®

MCH3421-TL-E供應(yīng)商

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