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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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MSD1819A-R 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
按地區(qū)：全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

MSD1819A-RT1G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANS NPN GP BIPO 50V SOT-323
系列：-
制造商：ON Semiconductor
晶體管類型：NPN
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 10mA，100mA
電流_集電極截止（最大）：100nA
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：210 @ 2mA，10V
功率_最大：150mW
頻率_轉(zhuǎn)換：-
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-70，SOT-323
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70-3（SOT323）
包裝：剪切帶 (CT)

MSD1819A-RT1G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANS NPN GP BIPO 50V SOT-323
系列：-
制造商：ON Semiconductor
晶體管類型：NPN
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 10mA，100mA
電流_集電極截止（最大）：100nA
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：210 @ 2mA，10V
功率_最大：150mW
頻率_轉(zhuǎn)換：-
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-70，SOT-323
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70-3（SOT323）
包裝：Digi-Reel®

MSD1819A-RT1G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANS NPN GP BIPO 50V SOT-323
系列：-
制造商：ON Semiconductor
晶體管類型：NPN
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 10mA，100mA
電流_集電極截止（最大）：100nA
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：210 @ 2mA，10V
功率_最大：150mW
頻率_轉(zhuǎn)換：-
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-70，SOT-323
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70-3（SOT323）
包裝：帶卷 (TR)

MSD1819A-R供應(yīng)商

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