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MUN2211T1詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：338mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-59; 包裝：剪切帶 (CT)

MUN2211T1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：338mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-59; 包裝：剪切帶 (CT)

MUN2211T1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：338mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-59; 包裝：Digi-Reel®

MUN2211T1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：338mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-59; 包裝：帶卷 (TR)

MT42L256M32D4MG-25 IT:A
存儲(chǔ)器 Micron Technology Inc 134-TFBGA IC LPDDR2 SDRAM 8GBIT 134FBGA
ODD-5WB
光學(xué) - 光電檢測(cè)器 - 光電二極管 Opto Diode Corp TO-205AA，TO-5-3 金屬罐 PHOTODIODE LOCAP 5MM 450NM TO-5
MCR10EZPF2700
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 270 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
MT29F64G08CFACAWP:C
存儲(chǔ)器 Micron Technology Inc 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） IC FLASH NAND 64GB 48TSOP
MUN2137T1G
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS BRT PNP 100MA 50V SC59
MCR25JZHF1332
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1210（3225 公制） RES 13.3K OHM 1/4W 1% 1210 SMD
MCR03ERTF8660
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 866 OHM 1/10W 1% 0603 SMD
MT42L64M32D1KL-25 IT:A
存儲(chǔ)器 Micron Technology Inc 168-WFBGA IC DDR2 SDRAM 2GBIT 168FBGA
MCR10EZPF2703
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 270K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
MT29F64G08CFACAWP:C TR
存儲(chǔ)器 Micron Technology Inc 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） IC FLASH NAND 64GB 48TSOP
MCR25JZHF1372
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1210（3225 公制） RES 13.7K OHM 1/4W 1% 1210 SMD
MT42L64M64D2MC-3 IT:A
存儲(chǔ)器 Micron Technology Inc 240-WFBGA IC DDR2 SDRAM 2GBIT 240FBGA
MCR03ERTF8661
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 8.66K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
MCR10EZPF2803
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 280K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
OE128064P000M00A01
過時(shí)/停產(chǎn)零件編號(hào) OSRAM Opto Semiconductors Inc TO-46-3 透鏡頂部金屬罐 KIT REFERENCE DESIGN RD-040

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MUN2211T1 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

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MUN2211T1供應(yīng)商

MT42L256M32D4MG-25 IT:A

ODD-5WB

MCR10EZPF2700

MT29F64G08CFACAWP:C

MUN2137T1G

MCR25JZHF1332

MCR03ERTF8660

MT42L64M32D1KL-25 IT:A

MCR10EZPF2703

MT29F64G08CFACAWP:C TR

MCR25JZHF1372

MT42L64M64D2MC-3 IT:A

MCR03ERTF8661

MCR10EZPF2803

OE128064P000M00A01