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MUN2211T3G詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類(lèi)型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：230mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-59; 包裝：Digi-Reel®

MUN2211T3G詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類(lèi)型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：230mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-59; 包裝：帶卷 (TR)

MUN2211T3G詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類(lèi)型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：230mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-59; 包裝：剪切帶 (CT)

MCR006YZPJ680
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0201（0603 公制） RES 68 OHM 1/20W 5% 0201 SMD
MUN2131T1G
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59
MVU18-8R/SX-BOTTLE
端子 - 環(huán)形 3M 19-SMD CONN RING INSUL 22-18AWG 100PC
MCR18EZPJ300
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 30 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
MCR10EZHFL2R20
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 2.20 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
MT16HTF12864AY-80ED4
存儲(chǔ)器 - 模塊 Micron Technology Inc 240-DIMM MODULE DDR2 1GB 240-DIMM
MCR006YZPJ750
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0201（0603 公制） RES 75 OHM 1/20W 5% 0201 SMD
MUN2211T3
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59
MCR18EZPJ361
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 360 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
MCR006YZPJ750
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0201（0603 公制） RES 75 OHM 1/20W 5% 0201 SMD
MVY10VC33RME55TP
電容器 United Chemi-Con 徑向，Can - SMD CAP ALUM 33UF 10V 20% SMD
MCR18EZPJ390
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 39 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
MCR006YZPJ751
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0201（0603 公制） RES 750 OHM 1/20W 5% 0201 SMD
MUN2212T1G
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
MCR18EZPJ3R9
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 3.9 OHM 1/4W 5% 1206 SMD

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MCR10EZHFL2R20

MT16HTF12864AY-80ED4

MCR006YZPJ750

MUN2211T3

MCR18EZPJ361

MCR006YZPJ750

MVY10VC33RME55TP

MCR18EZPJ390

MCR006YZPJ751

MUN2212T1G

MCR18EZPJ3R9