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MUN5213DW1T1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：Digi-Reel®

MUN5213DW1T1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：帶卷 (TR)

MUN5213DW1T1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：剪切帶 (CT)

MUN5213DW1T3G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：帶卷 (TR)

MUN5213T1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：202mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70-3（SOT323）; 包裝：Digi-Reel®

MUN5213T1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：202mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70-3（SOT323）; 包裝：剪切帶 (CT)

N352-02M
光纖 Tripp Lite CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 6’
N354-01M
光纖 Tripp Lite CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 3’
OPA847IDRG4
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP VFB 3.9GHZ SGL 8SOIC
MUN5135DW1T1
晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363
MSP09A0122K0GEJ
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Vishay Dale 9-SIP RES ARRAY 22K OHM 8 RES 9-SIP
HK2
配件 Crydom Co. 0603（1608 公制） KIT BRACKT HARDWARE DIN RAIL MNT
N354-01M
光纖 Tripp Lite CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 3’
N352-02M
光纖 Tripp Lite CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 6’
N74F166D,602
邏輯 - 移位寄存器 NXP Semiconductors 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC SHIFT REGISTER 8BIT 16-SOIC
HK2
配件 Crydom Co. 0603（1608 公制） KIT BRACKT HARDWARE DIN RAIL MNT
MSP10A01100KFEJ
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Vishay Dale 10-SIP RES ARRAY 100K OHM 9 RES 10-SIP
N354-02M
光纖 Tripp Lite CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 6’
N354-02M
光纖 Tripp Lite CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 6’
N74F166D,602
邏輯 - 移位寄存器 NXP Semiconductors 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC SHIFT REGISTER 8BIT 16-SOIC
OPA875IDG4
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） OPA875IDG4