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MUN5215T1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：202mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70-3（SOT323）; 包裝：帶卷 (TR)

MUN5215T1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：202mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70-3（SOT323）; 包裝：剪切帶 (CT)

MUN5215T1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：202mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70-3（SOT323）; 包裝：Digi-Reel®

MT16HTF6464AY-667B4
存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 240-DIMM MODULE DDR2 SDRAM 512MB 240-DIMM
MCR10EZHFL6R20
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 6.20 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
MCR006YZPJ823
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0201（0603 公制） RES 82K OHM 1/20W 5% 0201 SMD
MUN5211T1G
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 ON Semiconductor SC-70，SOT-323 TRANS BRT NPN 50V SS MONO SOT323
MTCBA-C-IP-N14
RF 接收器、發(fā)射器及收發(fā)器的成品裝置 Multi-Tech Systems 模塊 MODEM CDMA RS-232 DC IP ALLTEL
MT0600DS
功率 Acme Electric/Amveco/Actown - TRANSFORMER MED 120/240V 600VA
MT16HTS25664HY-667A1
存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 200-SODIMM MODULE DDR2 2GB 200SODIMM
MCR18EZPJ434
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 430K OHM 1/4W 5% 1206 SMD
MCR10EZHFL6R20
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 6.20 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
MX29F040CQI-70G
存儲器 Macronix 32-LCC（J 形引線） IC FLASH PAR 5V 4MB 70NS 32PLCC
MCR006YZPJ825
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0201（0603 公制） RES 8.2M OHM 1/20W 5% 0201 SMD
MT16JTF25664HZ-1G6G1
存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 204-SODIMM MODULE DDR3 SDRAM 2GB 204SODIMM
MT1000-1/16-0-STK
熱縮管 TE Connectivity - HEAT SHRINK TUBING
MCR10EZHFL6R80
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 6.80 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
MCR18EZPJ434
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 430K OHM 1/4W 5% 1206 SMD

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MCR10EZHFL6R20

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MUN5211T1G

MTCBA-C-IP-N14

MT0600DS

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MCR18EZPJ434

MCR10EZHFL6R20

MX29F040CQI-70G

MCR006YZPJ825

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MT1000-1/16-0-STK

MCR10EZHFL6R80

MCR18EZPJ434