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MUN5312DW1T1詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：帶卷 (TR)

MUN5312DW1T1G詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：剪切帶 (CT)

MUN5312DW1T1G詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：帶卷 (TR)

MUN5312DW1T1G詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：Digi-Reel®

OEJA-50-1-6
旋鈕 Kilo International 2-SMD，無引線 KNOB CLR GLOSS.50"DIA .125"SHAFT
MCR10EZPF3573
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 357K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
MUN5236T1G
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 ON Semiconductor SC-70，SOT-323 TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT323
MS3475L18-30SW
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 30POS CABLE SCKT
MCR25JZHF1871
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1210（3225 公制） RES 1.87K OHM 1/4W 1% 1210 SMD
MT48LC4M16A2P-7E:G TR
存儲器 Micron Technology Inc 54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54TSOP
MCR03EZPEJ151
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 150 OHM 1/10W 5% 0603
MCR10EZPF3651
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 3.65K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
OEJA-50-2-7
旋鈕 Kilo International 2-SMD，無引線 KNOB BLK GLOSS .50"DIA 6MM SHAFT
MS3475L18-30SZ
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 30POS CABLE SCKT
MCR25JZHF18R2
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1210（3225 公制） RES 18.2 OHM 1/4W 1% 1210 SMD
MT48LC4M32B2F5-7 IT:G TR
存儲器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC SDRAM 128MBIT 143MHZ 90VFBGA
MCR03EZPFX1000
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 100 OHM 1/10W 1% 0603 SMD
MCR10EZPF3653
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 365K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
OEJA-50-4-5
旋鈕 Kilo International 2-SMD，無引線 KNOB BLK/MATTE.50"DIA .250"SHAFT