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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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NCV33152DR2G 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
按地區(qū)：全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

NCV33152DR2G詳細(xì)規(guī)格

類別：PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān)
描述：IC MOSFET DRVR DUAL HS 8-SOIC
系列：-
制造商：ON Semiconductor
類型：
配置：低端
輸入類型：非反相
延遲時(shí)間：55ns
導(dǎo)通電阻：
電流_峰值：1.5A
電流_輸出/通道：
配置數(shù)：2
電流_峰值輸出：
輸出數(shù)：2
高壓側(cè)電壓_最大值（自舉）：-
電壓_電源：6.5 V ~ 18 V
工作溫度：-40°C ~ 125°C
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC N
包裝：帶卷 (TR)

NCV33152DR2G詳細(xì)規(guī)格

類別：PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān)
描述：IC MOSFET DRVR DUAL HS 8-SOIC
系列：-
制造商：ON Semiconductor
類型：
配置：低端
輸入類型：非反相
延遲時(shí)間：55ns
導(dǎo)通電阻：
電流_峰值：1.5A
電流_輸出/通道：
配置數(shù)：2
電流_峰值輸出：
輸出數(shù)：2
高壓側(cè)電壓_最大值（自舉）：-
電壓_電源：6.5 V ~ 18 V
工作溫度：-40°C ~ 125°C
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC N
包裝：剪切帶 (CT)

NCV33152DR2G供應(yīng)商

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