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NDS9430詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 5.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：528pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

NDS9430詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 5.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：528pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

NDS9430詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 5.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：528pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

NDS9430A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 5.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：950pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

NLC453232T-121K-PF
固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR WW PWR 120UH 160MA 10%
MFR-25FBF-9K31
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 9.31K OHM 1/4W 1% METAL FILM
NDS9407
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC
MT48LC16M16A2BG-7E:D TR
存儲器 Micron Technology Inc 54-VFBGA IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 54VFBGA
NL453232T-330J-PF
固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 33UH 5% 1812
HM2P08PDF1G0N9
背板 - 硬公制，標(biāo)準(zhǔn) FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
OSTYK55121030
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 21CIRC 11MM
NLC453232T-150K
固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR 15UH 10% 453232
MFR-25FRF-107R
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 107 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
MT48LC16M16A2P-75:D TR
存儲器 Micron Technology Inc 54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 54TSOP
NLC453232T-151K
固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR 150UH 10% 453232
OSTYK55203030
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 3CIRC 11MM
HM2P08PDF1G1N9LF
背板 - 硬公制，標(biāo)準(zhǔn) FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
MFR-25FRF-10K0
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 10.0KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
MT48LC16M16A2TG-6A:D
存儲器 Micron Technology Inc 54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 54TSOP