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NE8詳細規格: 類別：線夾和夾具; 描述：CLAMP VINYL-DIPPED 7/16X3/8"; 系列：NE; 制造商：Richco Plastic Co; 類型：P-夾; 開口尺寸：0.50" 直徑 x 0.38" W（12.7mm x 9.5mm）; 安裝類型：螺釘; 材料：鋁; 顏色：黑，灰

NE851M03-A詳細規格: 類別：RF 晶體管 (BJT); 描述：TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-363; 系列：-; 制造商：CEL; 晶體管類型：NPN; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：5.5V; 頻率_轉換：4.5GHz; 噪聲系數（dB典型值0a0頻率）：1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz; 增益：-; 功率_最大：200mW; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 5mA，1V; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應商設備封裝：SOT-363; 包裝：散裝

NE851M03-T1-A詳細規格: 類別：RF 晶體管 (BJT); 描述：TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-363; 系列：-; 制造商：CEL; 晶體管類型：NPN; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：5.5V; 頻率_轉換：4.5GHz; 噪聲系數（dB典型值0a0頻率）：1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz; 增益：-; 功率_最大：200mW; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 5mA，1V; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應商設備封裝：SOT-363; 包裝：帶卷 (TR)

NE851M13-A詳細規格: 類別：RF 晶體管 (BJT); 描述：TRANSISTOR NPN 2GHZ M13; 系列：-; 制造商：CEL; 晶體管類型：NPN; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：5.5V; 頻率_轉換：4.5GHz; 噪聲系數（dB典型值0a0頻率）：1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz; 增益：-; 功率_最大：140mW; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 5mA，1V; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-3; 供應商設備封裝：M13; 包裝：散裝

NE851M13-T3-A詳細規格: 類別：RF 晶體管 (BJT); 描述：TRANS NPN LOW PRO M13 SMD; 系列：-; 制造商：CEL; 晶體管類型：NPN; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：5.5V; 頻率_轉換：4.5GHz; 噪聲系數（dB典型值0a0頻率）：1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz; 增益：4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ; 功率_最大：140mW; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 5mA，1V; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-3; 供應商設備封裝：M13; 包裝：剪切帶 (CT)

NE851M13-T3-A詳細規格: 類別：RF 晶體管 (BJT); 描述：TRANS NPN LOW PRO M13 SMD; 系列：-; 制造商：CEL; 晶體管類型：NPN; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：5.5V; 頻率_轉換：4.5GHz; 噪聲系數（dB典型值0a0頻率）：1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz; 增益：4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ; 功率_最大：140mW; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 5mA，1V; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-3; 供應商設備封裝：M13; 包裝：帶卷 (TR)

NC2D-L2-DC24V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 圓柱形罐，徑向 RELAY GEN PURPOSE DPDT 5A 24V
NJM2871AF25-TE1
PMIC - 穩壓器 - 線性 NJR SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 2.5V .2A SOT-23
NCP562SQ18T1G
PMIC - 穩壓器 - 線性 ON Semiconductor SC-82A，SOT-343 IC REG LDO 1.8V .28A SC82AB
NCP5359ADR2G
PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 ON Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-SOIC
NCN6010DTBR2
邏輯 - 變換器 ON Semiconductor 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC LEVEL SHIFTER SIMCARD 14TSSOP
NCP15XQ471J03RC
熱敏電阻 - NTC Murata Electronics North America 0402（1005 公制） THERMISTOR 470 OHM NTC 0402 SMD
MDM-51PH004K
D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS PIN 24"
NC2EBD-DC24V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 圓柱形罐，徑向 RELAY GEN PURPOSE DPDT 5A 24V
NCP562SQ33T1
PMIC - 穩壓器 - 線性 ON Semiconductor SC-82A，SOT-343 IC REG LDO 3.3V .28A SC82AB
NCP5359AMNR2G
PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 ON Semiconductor 8-VFDFN 裸露焊盤 IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-DFN
NCN6010DTBR2G
邏輯 - 變換器 ON Semiconductor 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC LEVEL SHIFTER SIMCARD 14TSSOP
NCP15XQ681J03RC
熱敏電阻 - NTC Murata Electronics North America 0402（1005 公制） THERMISTOR 680 OHM NTC 0402 SMD
NCP562SQ33T1
PMIC - 穩壓器 - 線性 ON Semiconductor SC-82A，SOT-343 IC REG LDO 3.3V .28A SC82AB
MDM-51PH005B
D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS PIN 30"
NC2EBD-JP-DC24V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 圓柱形罐，徑向 RELAY GEN PURPOSE DPDT 5A 24V

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NE8 全國供應商、價格、PDF資料

NE8詳細規格

NE851M03-A詳細規格

NE851M03-T1-A詳細規格

NE851M13-A詳細規格

NE851M13-T3-A詳細規格

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NCP562SQ33T1

NCP5359AMNR2G

NCN6010DTBR2G

NCP15XQ681J03RC

NCP562SQ33T1

MDM-51PH005B

NC2EBD-JP-DC24V