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NE85634-A詳細規格
- 類別：RF 晶體管 (BJT)
- 描述：TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-89
- 系列：-
- 制造商：CEL
- 晶體管類型：NPN
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：12V
- 頻率_轉換：6.5GHz
- 噪聲系數（dB典型值0a0頻率）：1.4dB @ 1GHz
- 增益：-
- 功率_最大：2W
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：50 @ 20mA，10V
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-243AA
- 供應商設備封裝：SOT-89
- 包裝：散裝
- PMIC - 穩壓器 - 線性 ON Semiconductor 4-UDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 1.8V .15A UDFN4
- PTC 可復位保險絲 Bourns Inc. 2-SMD FUSE RESETTABLE
- 存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 200-SODIMM MODULE DDR SDRAM 256MB 200SODIMM
- RF 晶體管 (BJT) CEL TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23
- RF 晶體管 (BJT) CEL TO-253-4，TO-253AA TRANS NPN 1GHZ SOT-143
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 NP HMI 5.7 IN MONO 6KEYS SILVER
- 接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 18POS
- 專用 TT Electronics/BI 徑向 TRANS GATE DRIVE 1:1:1 300UH SMD
- PMIC - 穩壓器 - 線性 ON Semiconductor 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC REG LDO 1.8V .3A SC-70
- 存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 200-SODIMM MODULE DDR 256MB 200-SODIMM
- RF 晶體管 (BJT) CEL SOT-3 TRANSISTOR NPN 1GHZ M13
- 專用 TT Electronics/BI 徑向 TRANS GATE DRIVE 1:1:1 300UH SMD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 NP HMI 5.7 IN MONO 6KEYS SILVER
- 接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 19POS
- PTC 可復位保險絲 Bourns Inc. 2-SMD FUSE RESETTABLE 1.1A 33V SMD
0755-89697985 
