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NP36P04SDG-E1-AY 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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NP36P04SDG-E1-AY詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH -40V -36A TO-252
系列：-
制造商：Renesas Electronics America
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：36A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫歐 @ 18A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2800pF @ 10V
功率_最大：1.2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝：TO-252（MP-3ZK）
包裝：帶卷 (TR)

NP36P04SDG-E1-AY詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH -40V -36A TO-252
系列：-
制造商：Renesas Electronics America
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：36A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫歐 @ 18A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2800pF @ 10V
功率_最大：1.2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝：TO-252（MP-3ZK）
包裝：剪切帶 (CT)

NP36P04SDG-E1-AY詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH -40V -36A TO-252
系列：-
制造商：Renesas Electronics America
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：36A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫歐 @ 18A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2800pF @ 10V
功率_最大：1.2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝：TO-252（MP-3ZK）
包裝：Digi-Reel®

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