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NSBC143TPDXV6T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-563; 包裝：剪切帶 (CT)

NSBC143TPDXV6T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-563; 包裝：帶卷 (TR)

NSBC143TPDXV6T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-563; 包裝：Digi-Reel®

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NSBC143TPDXV6T1G 深圳山瑯電子科技有限公司 755-83229865
NSBC143TPDXV6T1G 北京首天偉業科技有限公司 010-62104931、
NSBC143TPDXV6T1G 深圳市世品佳電子有限公司 0755-/8321846
NSBC143TPDXV6T1G 深圳市毅創騰電子科技有限公司 755-83210909
NSBC143TPDXV6T1G 深圳市昭興微電子有限公司 0755-23991909

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NSBC143TPDXV6T1G 全國供應商、價格、PDF資料

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