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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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NSS12201LT1G 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
按地區(qū)：全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

NSS12201LT1G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANS NPN BIPO 12V 4A SOT-23
系列：-
制造商：ON Semiconductor
晶體管類型：NPN
電流_集電極333Ic444（最大）：2A
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：12V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：90mV @ 200mA，2A
電流_集電極截止（最大）：-
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 500mA，2V
功率_最大：460mW
頻率_轉(zhuǎn)換：150MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）
包裝：剪切帶 (CT)

NSS12201LT1G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANS NPN BIPO 12V 4A SOT-23
系列：-
制造商：ON Semiconductor
晶體管類型：NPN
電流_集電極333Ic444（最大）：2A
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：12V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：90mV @ 200mA，2A
電流_集電極截止（最大）：-
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 500mA，2V
功率_最大：460mW
頻率_轉(zhuǎn)換：150MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）
包裝：帶卷 (TR)

NSS12201LT1G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANS NPN BIPO 12V 4A SOT-23
系列：-
制造商：ON Semiconductor
晶體管類型：NPN
電流_集電極333Ic444（最大）：2A
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：12V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：90mV @ 200mA，2A
電流_集電極截止（最大）：-
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 500mA，2V
功率_最大：460mW
頻率_轉(zhuǎn)換：150MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）
包裝：Digi-Reel®

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