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NTD23N03RT4詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.76nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：225pF @ 20V; 功率_最大：1.14W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

NTD23N03RT4詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.76nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：225pF @ 20V; 功率_最大：1.14W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

NTD23N03RT4詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.76nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：225pF @ 20V; 功率_最大：1.14W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

NTD23N03RT4G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET PWR N-CHAN 25V 23A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.76nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：225pF @ 20V; 功率_最大：1.14W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

NTD23N03RT4G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.76nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：225pF @ 20V; 功率_最大：1.14W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

MI0603L221R-10
鐵氧體磁珠和芯片 Laird-Signal Integrity Products 0603（1608 公制） FERRITE CHIP 220 OHMS 2.0A 0603
NJM2121D
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps NJR 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC OPAMP DUAL W/SW 2IN/1OUT 8DIP
NTD23N03R
FET - 單 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
HPL1005-12N
固定式 Susumu 0402（1005 公制） INDUCTOR 12NH +/-2% 0402
P0720ECMCRP2
TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC）成形引線 SIDACTOR MC BI 65V 400A TO-92
HMC431LP4E
RF 其它 IC 和模塊 Hittite Microwave Corporation 16-VFQFN 裸露焊盤 IC MMIC VCO W/BUFF AMP 4X4QFN
NLV32T-391J-PF
固定式 TDK Corporation 1210（3225 公制） INDUCTOR POWER 390UH 1210
NJM13700M
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps NJR 16-SOIC（0.209"，5.30mm 寬） IC TRANSCONDUCT AMP DUAL 16-DMP
MI0603L301R-10
鐵氧體磁珠和芯片 Laird-Signal Integrity Products 0603（1608 公制） FERRITE CHIP 2A 300 OHM SMD
HPL1005-1N0
固定式 Susumu 0402（1005 公制） INDUCTOR 1.0NH +/-0.2NH 0402
P0720Q12ALRP
TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc 2-VQFN SIDACTOR BI 88V 150A QFN SMD
NLV32T-3R3J-PF
固定式 TDK Corporation 1210（3225 公制） INDUCTOR POWER 3.3UH 1210
HMC431LP4E
RF 其它 IC 和模塊 Hittite Microwave Corporation 16-VFQFN 裸露焊盤 IC MMIC VCO W/BUFF AMP 4X4QFN
NJM14558D
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps NJR 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC OPAMP DUAL 8-DIP
NJM2123D
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps NJR 16-DIP（0.300"，7.62mm） IC OPAMP DUAL W/SW 2IN1OUT 16DIP