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NTD3055L170T4G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 9A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 4.5A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：275pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：DPAK-3; 包裝：剪切帶 (CT)

NTD3055L170T4G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 9A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 4.5A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：275pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：DPAK-3; 包裝：帶卷 (TR)

NTD3055L170T4G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 9A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 4.5A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：275pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：DPAK-3; 包裝：Digi-Reel®

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