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NTMD6601NR2G 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
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NTMD6601NR2G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N-CH 80V 1.1A 8SOIC
系列：-
制造商：ON Semiconductor
FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：80V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.1A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：215 毫歐 @ 2.2A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V
功率_最大：600mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N
包裝：帶卷 (TR)

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