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NTR4171PT1G 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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NTR4171PT1G詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23
系列：-
制造商：ON Semiconductor
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.2A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫歐 @ 2.2A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：15.6nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：720pF @ 15V
功率_最大：480mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）
包裝：剪切帶 (CT)

NTR4171PT1G詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23
系列：-
制造商：ON Semiconductor
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.2A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫歐 @ 2.2A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：15.6nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：720pF @ 15V
功率_最大：480mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）
包裝：帶卷 (TR)

NTR4171PT1G詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23
系列：-
制造商：ON Semiconductor
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.2A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫歐 @ 2.2A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：15.6nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：720pF @ 15V
功率_最大：480mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）
包裝：Digi-Reel®

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