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PBLS2002D,115詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：LOADSWITCH PNP 20V 1A 6TSOP; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類(lèi)型：1 NPN 預(yù)偏壓式，1 PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA，1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V，20V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：4.7k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 10mA，5V / 220 @ 500mA，2V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA / 280mV @ 100mA，1A; 電流_集電極截止（最大）：1µA，100nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：185MHz; 功率_最大：600mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-74，SOT-457; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-TSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

PBLS2002D,115詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：LOADSWITCH PNP 20V 1A 6TSOP; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類(lèi)型：1 NPN 預(yù)偏壓式，1 PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA，1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V，20V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：4.7k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 10mA，5V / 220 @ 500mA，2V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA / 280mV @ 100mA，1A; 電流_集電極截止（最大）：1µA，100nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：185MHz; 功率_最大：600mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-74，SOT-457; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-TSOP; 包裝：Digi-Reel®

PBLS2002D,115詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：LOADSWITCH PNP 20V 1A 6TSOP; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類(lèi)型：1 NPN 預(yù)偏壓式，1 PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA，1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V，20V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：4.7k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 10mA，5V / 220 @ 500mA，2V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA / 280mV @ 100mA，1A; 電流_集電極截止（最大）：1µA，100nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：185MHz; 功率_最大：600mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-74，SOT-457; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-TSOP; 包裝：帶卷 (TR)

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