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» 型號(hào)"PBSS4021SN,115"的供應(yīng)信息
PBSS4021SN,115 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料
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PBSS4021SN,115詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別：晶體管(BJT) - 陣列
描述：TRANS ARRAY NPN/NPN 20V 6.3A SO8
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類(lèi)型：2 NPN（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：7.5A
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：275mV @ 375mA，7.5A
電流_集電極截止（最大）：100nA
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：250 @ 4A，2V
功率_最大：2.3W
頻率_轉(zhuǎn)換：115MHz
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
包裝：帶卷 (TR)
PBSS4021SN,115詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別：晶體管(BJT) - 陣列
描述：TRANS ARRAY NPN/NPN 20V 6.3A SO8
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類(lèi)型：2 NPN（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：7.5A
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：275mV @ 375mA，7.5A
電流_集電極截止（最大）：100nA
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：250 @ 4A，2V
功率_最大：2.3W
頻率_轉(zhuǎn)換：115MHz
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
包裝：剪切帶 (CT)
PBSS4021SN,115詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別：晶體管(BJT) - 陣列
描述：TRANS ARRAY NPN/NPN 20V 6.3A SO8
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類(lèi)型：2 NPN（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：7.5A
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：275mV @ 375mA，7.5A
電流_集電極截止（最大）：100nA
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：250 @ 4A，2V
功率_最大：2.3W
頻率_轉(zhuǎn)換：115MHz
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
包裝：Digi-Reel®
PBSS4021SN,115詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別：晶體管(BJT) - 陣列
描述：TRANS ARRAY NPN/NPN 20V 6.3A SO8
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類(lèi)型：2 NPN（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：7.5A
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：275mV @ 375mA，7.5A
電流_集電極截止（最大）：100nA
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：250 @ 4A，2V
功率_最大：2.3W
頻率_轉(zhuǎn)換：115MHz
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
包裝：帶卷 (TR)
PBSS4021SN,115供應(yīng)商
PBSS4021SN,115
深圳市泰坦光電子有限公司
15889522512
查看更多PBSS4021SN,115的供應(yīng)商
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