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PHKD13N03LT 全國供應商、價格、PDF資料

PHKD13N03LT,118詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8SOIC; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.7nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：752pF @ 15V; 功率_最大：3.57W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

PHKD13N03LT,518詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8-SOIC; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.7nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：752pF @ 15V; 功率_最大：3.57W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

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