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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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PMWD30UN,518 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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PMWD30UN,518詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8TSSOP
系列：TrenchMOS™
制造商：NXP Semiconductors
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：33 毫歐 @ 3.5A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1478pF @ 10V
功率_最大：2.3W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP
包裝：剪切帶 (CT)

PMWD30UN,518詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8TSSOP
系列：TrenchMOS™
制造商：NXP Semiconductors
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：33 毫歐 @ 3.5A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1478pF @ 10V
功率_最大：2.3W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP
包裝：帶卷 (TR)

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