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PSMN3R7-25YLC,115 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
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PSMN3R7-25YLC,115詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 25V 97A LFPAK
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：25V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：97A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.9 毫歐 @ 20A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.95V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：21.6nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1585pF @ 12V
功率_最大：64W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供應(yīng)商設(shè)備封裝：LFPAK，Power-SO8
包裝：帶卷 (TR)

PSMN3R7-25YLC,115詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 25V 97A LFPAK
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：25V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：97A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.9 毫歐 @ 20A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.95V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：21.6nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1585pF @ 12V
功率_最大：64W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供應(yīng)商設(shè)備封裝：LFPAK，Power-SO8
包裝：Digi-Reel®

PSMN3R7-25YLC,115詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 25V 97A LFPAK
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：25V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：97A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.9 毫歐 @ 20A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.95V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：21.6nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1585pF @ 12V
功率_最大：64W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供應(yīng)商設(shè)備封裝：LFPAK，Power-SO8
包裝：帶卷 (TR)

PSMN3R7-25YLC,115詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 25V 97A LFPAK
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：25V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：97A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.9 毫歐 @ 20A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.95V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：21.6nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1585pF @ 12V
功率_最大：64W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供應(yīng)商設(shè)備封裝：LFPAK，Power-SO8
包裝：剪切帶 (CT)

PSMN3R7-25YLC,115供應(yīng)商

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