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RHP030N03T100詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 3A SOT-89; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：160pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-243AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：MPT3; 包裝：帶卷 (TR)

RHP030N03T100詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 3A SOT-89; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：160pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-243AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：MPT3; 包裝：剪切帶 (CT)

RHP030N03T100詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 3A SOT-89; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：160pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-243AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：MPT3; 包裝：Digi-Reel®

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通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 47K OHM 5W 1% WW AXIAL
RSM06DRAS
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