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SI1023X-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 20V SOT563F; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：370mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 350mA，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-89-6; 包裝：Digi-Reel®

SI1023X-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 20V SOT563F; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：370mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 350mA，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-89-6; 包裝：剪切帶 (CT)

SI1023X-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 20V SOT563F; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：370mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 350mA，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-89-6; 包裝：帶卷 (TR)

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SR211A470JAATR1
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SMI-1324-TW-12V-R-T/R
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SIL12-1A85-76D3K
信號，高達(dá) 2 A Standex-Meder Electronics 11-SIP 模塊 RELAY REED SPST 1A 12V
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FET - 陣列 Vishay Siliconix SOT-563，SOT-666 MOSFET 2N-CH 20V 485MA SOT563F

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