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SI1305DL-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 8V 860MA SOT323-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：8V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：860mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：290mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70-3; 包裝：剪切帶 (CT)

SI1305DL-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 8V 860MA SOT323-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：8V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：860mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：290mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70-3; 包裝：帶卷 (TR)

SI1305DL-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 8V 860MA SOT323-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：8V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：860mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：290mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70-3; 包裝：Digi-Reel®

SI1305DL-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH G-S 8V SC-70-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：8V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：860mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：290mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70-3; 包裝：剪切帶 (CT)

SI1305DL-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH G-S 8V SC-70-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：8V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：860mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：290mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70-3; 包裝：Digi-Reel®

SI1305DL-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH G-S 8V SC-70-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：8V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：860mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：290mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70-3; 包裝：帶卷 (TR)

SS-5H-2.5A-AP
保險絲 Cooper Bussmann FUSE 2.5A 250V RADIAL
SMAJ33CA-TP
TVS - 二極管 Micro Commercial Co DO-214AC，SMA TVS 400W 33V BIDIRECT SMA
SI1303DL-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix SC-70，SOT-323 MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3
SMA5J14CAHE3/5A
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS BIDIR 500W 14V 5% SMA
SSW-109-02-S-D-RA
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 18PS DL R/A GOLD
RT8802AGQV
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 Richtek USA Inc 40-VFQFN 裸露焊盤 IC CTRLR PWM MULTI-PHASE 40VQFN
SI5017-D-GM
時鐘/計時 - 專用 Silicon Laboratories Inc 28-VFQFN 裸露焊盤 IC CLOCK/DATA RECOVERY 28MLP
MP4-2E-1E-1N-4LN-00
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
SMAJ33CA-TR
TVS - 二極管 STMicroelectronics DO-214AC，SMA TVS 400W 33V BI-DIR DO-214AC
RT8802AGQV
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 Richtek USA Inc 40-VFQFN 裸露焊盤 IC CTRLR PWM MULTI-PHASE 40VQFN
SSW-110-02-G-D
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 20POS DUAL GOLD
SS-5H-3.15A-AP
保險絲 Cooper Bussmann FUSE 3.15A 250V RADIAL
SI5017-EVB
評估演示板和套件 Silicon Laboratories Inc 28-VFQFN 裸露焊盤 BOARD EVALUATION FOR SI5017
MP4-2E-1E-1Q-4LL-00
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
SMAJ33CA-TR
TVS - 二極管 STMicroelectronics DO-214AC，SMA TVS 400W 33V BI-DIR DO-214AC

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