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SI1401EDH-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH F-D 12V SC-70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫歐 @ 5.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70-6; 包裝：剪切帶 (CT)

SI1401EDH-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH F-D 12V SC-70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫歐 @ 5.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70-6; 包裝：Digi-Reel®

SI1401EDH-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH F-D 12V SC-70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫歐 @ 5.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70-6; 包裝：帶卷 (TR)

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