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SI2309CDS-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：345 毫歐 @ 1.25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.1nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：210pF @ 30V; 功率_最大：1.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SI2309CDS-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：345 毫歐 @ 1.25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.1nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：210pF @ 30V; 功率_最大：1.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

SI2309CDS-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：345 毫歐 @ 1.25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.1nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：210pF @ 30V; 功率_最大：1.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

SI2309CDS-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：345 毫歐 @ 1.25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.1nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：210pF @ 30V; 功率_最大：1.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SI2309DS-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.25A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：340 毫歐 @ 1.25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

SI2309DS-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.25A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：340 毫歐 @ 1.25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SI2309供應商

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RNF14GTD750R
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 750 OHM 1/4W 2% AXIAL
SI2309DS-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
RT0805FRE0747RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 47.0 OHM 1/8W 1% SMD 0805
RW2-4805D/H3/B
DC DC Converters Recom Power 16-DIP 模塊（6 引線） CONV DC/DC 2W 36-72VIN +/-05VOUT
RT0805CRE0712R7L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 12.7 OHM 1/8W .25% SMD 0805
RNCF1206BTE1K96
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 1.96K OHM 1/8W 0.1% 1206
MDM-37PBSM7-A174
D-Sub ITT Cannon MICRO 37POS PIN STR PCB
SD20-102-R
固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCTOR POWER SHIELD 1000UH SMD
RNF14JTD120K
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES MF 1/4W 120K OHM 5% AXIAL
RT0805CRE07130KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 130K OHM 1/8W .25% SMD 0805
RW2-4805S/B
DC DC Converters Recom Power 16-DIP 模塊（6 引線） CONV DC/DC 2W 36-72VIN 05VOUT
RNCF1206BTE1M00
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 1M OHM 1/8W 0.1% 1206
MDM-37PH001P
D-Sub ITT Cannon MICRO 37POS PIN 18" YEL
SD20-150-R
固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCTOR POWER SHIELD 15UH SMD
RNF14JTD130R
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 130 OHM 1/4W 5% AXIAL