

SI2351DS-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.8A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫歐 @ 2.4A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.1nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 10V
- 功率_最大:2.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:帶卷 (TR)
SI2351DS-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.8A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫歐 @ 2.4A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.1nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 10V
- 功率_最大:2.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:Digi-Reel®
SI2351DS-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.8A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫歐 @ 2.4A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.1nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 10V
- 功率_最大:2.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI2351DS-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.8A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫歐 @ 2.4A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.1nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 10V
- 功率_最大:2.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI2351DS-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.8A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫歐 @ 2.4A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.1nC @ 5V
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- 功率_最大:2.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:帶卷 (TR)
SI2351DS-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.8A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫歐 @ 2.4A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.1nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 10V
- 功率_最大:2.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:Digi-Reel®
- 數字隔離器 Silicon Laboratories Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC ISOLATOR 2CH 5.5V 8-SOIC
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 100W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 50W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 75W
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V SOT23
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 100W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 66W
- 數字隔離器 Silicon Laboratories Inc 16-SOIC(0.295",7.50mm 寬) ISOLATOR 2CH 5KV 150M 16SOIC
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 100W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 75W
- 時鐘/計時 - 時鐘發生器,PLL,頻率合成器 Silicon Laboratories Inc 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC CLOCK SSCG 1PLL 2CH 8TSSOP
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 33W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 75W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 75W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 50W