国产欧美精品区一区二区三区 ,丁香激情综合久久伊人久久,欧美人与动牲交a精品

當前位置：網站首頁 » 庫存索引293 » 型號"SI3493DV-T1-E3"的供應信息

SI3493DV-T1-E3 全國供應商、價格、PDF資料

SI3493DV-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設備封裝：6-TSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI3493DV-T1-E3供應商

MNR14E0ABJ110
網絡、陣列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 11 OHM 4 RES 1206
RT1206FRE0724RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 24.0 OHM 1/4W 1% SMD 1206
SST39LF010-45-4C-MME
存儲器 Microchip Technology 34-WFBGA IC FLASH MPF 1MBIT 45NS 34WFBGA
RTS-1209-R
DC DC Converters Recom Power 8-DIP SMD 模塊（5 引線） CONV DC/DC 2W 12VIN 09VOUT
SI3493BDV-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP
RW1S0BAR024JT
芯片電阻 - 表面安裝 Ohmite 2512 J 形引線 RES POWER .024 OHM 1W 5% SMT
SR211C473KARTR2
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.047UF 100V 10% RADIAL
SM6227FT7R68
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 6227 J 形引線 RES 7.68 OHM 3W 1% WW 6227
MNR14E0ABJ111
網絡、陣列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 110 OHM 4 RES 1206
RTS-1212
DC DC Converters Recom Power 8-DIP SMD 模塊（5 引線） CONV DC/DC 2W 12VIN 12VOUT
SST39LF020-45-4C-MME
存儲器 Microchip Technology 34-WFBGA IC FLASH MPF 2MBIT 45NS 34WFBGA
SR211C473KARTR2
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.047UF 100V 10% RADIAL
RW1S0BAR030JT
芯片電阻 - 表面安裝 Ohmite 2512 J 形引線 RES POWER .030 OHM 1W 5% SMT
MNR14E0ABJ114
網絡、陣列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 110K OHM 4 RES 1206
RT1206FRE0727KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 27.0K OHM 1/4W 1% SMD 1206